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科锐与日本Sanix公司合作SiCMOSFET助力日本光伏产业OFweek半导体照明网dd-【新闻】

发布时间:2021-04-08 19:10:13 阅读: 来源:高温风机厂家

科锐与日本Sanix公司合作 SiC MOSFET助力日本光伏产业 - OFweek半导体照明网

OFweek半导体照明网讯 科锐(Nasdaq: CREE)宣布C2M系列1200V / 80m SiC MOSFET被日本Sanix公司采用,应用在其新型9.9kW三相太阳能逆变器的设计之中,以用于日本快速增长的太阳能市场商业光伏系统建设。 Sanix公司总经理Hiroshi Soga表示: 通过与科锐的合作并采用其SiC技术,Sanix公司能够在竞争激烈的日本太阳能市场争取更多的市场份额,科锐SiC MOSFET是Sanix公司实现高效率与散热设计目标的关键。同我们原先考虑采用的Si超结MOSFET相比,SiC技术能够降低我们逆变器电子中超过30%的损耗。除了大幅提升效率之外,科锐最新一代C2M SiC MOSFET的价格也很有竞争力,使得替代低电压、低耐受度、低效率的Si MOSFET成为可能。 科锐1200V SiC MOSFET 科锐1200V C2M 0080120D MOSFET应用在太阳能逆变器的主要电能转换阶段,具有更快的开关特性,开关损耗仅为相应的900V Si超结MOSFET的三分之一。科锐SiC MOSFET通过大幅降低开关损耗,从而实现更低的总体系统能源损耗、更高的开关频率、更低的工作温度。所有这些优点帮助提升转换效率,同时降低了系统尺寸、重量、复杂度和热管理要求。从系统层面来看,逆变器的性能得到了提升、成本得到了下降、使用寿命得到了延长。 科锐功率与射频总经理兼副总裁Cengiz Balkas表示: 我们很高兴Sanix公司选择科锐C2M 1200V SiC MOSFET技术应用在其新型9.9 kW太阳能逆变器中。科锐SiC功率器件为光伏逆变器带来效率、可靠性及成本等多方面的显著优势,为Sanix公司提供关键竞争优势,从而帮助其在日本太阳能市场中继续扩大市场份额。 科锐C2M系列SiC MOSFET业经证明可实现三倍于传统Si技术的功率密度,目前可提供1200V和1700V、25 m到1 不同产品型号可选。科锐C2M MOSFET可用于各种工业级功率型应用场合,自2013年3月推出以来市场需求就不断增长。科锐SiC MOSFET已经实现量产,并为Sanix公司和其他光伏逆变器生产商,以及工业电源、辅助电源转换器、电池充电器和马达驱动生产制造商等供货。

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